Гофорд Полупроводник G33N03D3

Н30В,РД(МАКС)<12М при 10В, РД(МАКС)<13М

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник G33N03D3
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация:-
Запас: 40
Артикул: Г33Н03Д3
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1420

Дополнительная цена:$0,1420

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	30А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	13 мОм при 18 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	15 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1530пФ при 15В
Мощность - Макс.	18,5 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-PowerVDFN
Поставщик пакета оборудования	8-ДФН (3х3)
Базовый номер продукта	Г33Н
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	5000

Массив МОП-транзисторов 30 В, 30 А (Tc) 18,5 Вт (Tc), для поверхностного монтажа 8-DFN (3x3)