GOFORD Semiconductor G30N02T

N20V, Rd (Max) <13m@4,5 v, vTH0,5 -~ 1.

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD Semiconductor G30N02T
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 8816
Sku: G30N02T
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	30А (ТА)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В.
Rds on (max) @ id, vgs	13mohm @ 20a, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	1,2- 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	15 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 12 В.
Взёр.	900 pf @ 10 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	40 yt (tta)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	ДО-220
PakeT / KORPUES	220-3
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	50

N-kanal 20 a 30 A (tata) 40 sta (tat) чereз чereз sturstiee 220