GOFORD SEMICONDUCTOR G2K8P15S

P-150V, -2,2A, RD (MAX) <310M@-10V, V

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR G2K8P15S
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 4
Sku: G2K8P15S
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,2280

Эkst цena:$0,2280

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	150
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	2.2a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	310MOHM @ 500MA, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	3,5 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	11 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	966 PF @ 75 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	2,5 yt (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Станодадж	4000

P-KANAL 150-2,2A (TC) 2,5-вт (TC).