GOFORD SEMICONDUCTOR G250N03IE

N30V, ESD 5.3a, Rd <25m@10V, VTH0.5V

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR G250N03IE
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 9
Sku: G250N03IE
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,0370

Эkst цena:$0,0370

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	5.3a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	2,5 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	25mohm @ 4a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	1,3 Е @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	9,1 NC @ 4,5
Vgs (mmaks)	± 10 В.
Взёр.	573 PF @ 15 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,4 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23-3
PakeT / KORPUES	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Станодадж	3000

N-kanal 30- 5,3а (TC) 1,4 мт (TC) PoverхnoStnoe