Goford Semiconductor G2012

N20V, Rd (Max) <12m@4,5 v, Rd (max) <18

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor G2012
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 3
Sku: G2012
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,0790

Эkst цena:$0,0790

Подрэбной

Парметр
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,5 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	6-dfn (2x2)
PakeT / KORPUES	6-wdfn otkrыtaiNaiN-o
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	3000
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	12a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	2,5 В, 4,5 В.
Rds on (max) @ id, vgs	12mohm @ 5a, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	1В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	29 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 10 В.
Взёр.	1255 PF @ 10 V
FET FUONKSHINA	-

N-kanal 20- 12a (tc) 1,5 sta (tc) poverхnostnoe kreplepleneene 6-dfn (2x2)