Goford Semiconductor G2003a

N190V, 3A, Rd <540M@10V, VTH1.0V ~ 3.

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor G2003a
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 9
Sku: G2003A
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,0740

Эkst цena:$0,0740

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	Грлин
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	190
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	3a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	540MOHM @ 2A, 10V
Vgs (th) (max) @ id	3 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	12 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	580 PF @ 25 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,8 yt (tat)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23-3
PakeT / KORPUES	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	3000

N-kanal 190-й 3а (ta) 1,8 тью