Гофорд Полупроводник G1K2C10S2

НП100В, 3А,РД<130М@10В,РД<200М@-

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник G1K2C10S2
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 4
Артикул: Г1К2С10С2
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1990

Дополнительная цена:$0,1990

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	-
Особенность левого транзистора	Стандартный
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	3А (Тс), 3,5А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	130 мОм при 5 А, 10 В, 200 мОм при 3 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	22 нк при 10 В, 23 нк при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	668пФ при 50В, 1732пФ при 50В
Мощность - Макс.	2 Вт (Тс), 3,1 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования	8-СОП
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0000
Стандартный пакет	4000

Массив МОП-транзисторов 100 В, 3 А (Tc), 3,5 А (Tc), 2 Вт (Tc), 3,1 Вт (Tc), монтаж на поверхность, 8-СОП