GOFORD Semiconductor G18P03S

P-30V, -15A, RD (MAX) <10M@-10V, VTH-

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD Semiconductor G18P03S
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 4
Sku: G18P03S
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,1930

Эkst цena:$0,1930

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	Грлин
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	15a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	10 месяцев @ 10a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	58 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	3570 PF @ 15 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	3,1 м (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Станодадж	4000

P-Kanol 30-n 15 A (TC) 3,1-типа (TC)