GOFORD SEMICONDUCTOR G130N06S2

MOSFET, N+N-CH, 60V, 9A, RD (MAX) <13

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR G130N06S2
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 4
Sku: G130N06S2
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,3490

Эkst цena:$0,3490

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Коунфигура	2 n-канал
FET FUONKSHINA	Станода
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	9А (TC)
Rds on (max) @ id, vgs	13mohm @ 10a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	67NC @ 10V
Взёр.	3021pf @ 30v
Синла - МАКС	2,6 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Станодадж	4000

MOSFET Array 60V 9A (TC) 2,6 st (Tc) poverхnosTnoe krepleneene 8-Sop