GOFORD Semiconductor G10P03
P30V, RD (MAX) <26 м@-4,5V, RD (MAKS) <3
- Проиджоделх: Goford Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD Semiconductor G10P03
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 5
- Sku: G10P03
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Goford Semiconductor |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ФЕТ | П-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 10 часов |
| Vgs (th) (max) @ id | 1,5 В @ 250 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 27 NC @ 4,5 |
| Vgs (mmaks) | ± 12 В. |
| Взёр. | 1550 pf @ 15 v |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 20 Вт |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-DFN (315x3,05) |
| PakeT / KORPUES | 8-powervdfn |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодадж | 5000 |
P-KANAOL 30- 10 A 20 ВЕРЕВЕРНАЯ
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740