Гофорд Полупроводник G1008B

Н100В, 8А,РД<130 м при 10 В, VTH1 В ~ 3 В,

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник G1008B
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 20
Артикул: G1008B
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1800

Дополнительная цена:$0,1800

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Особенность левого транзистора	Стандартный
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	8А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	130 мОм при 2 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	15,5 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	690пФ при 25 В
Мощность - Макс.	3W (Та)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования	8-СОП
Базовый номер продукта	G1008
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0000
Стандартный пакет	4000

Массив МОП-транзисторов 100 В, 8 А (Ta) 3 Вт (Ta) для поверхностного монтажа 8-SOP