Goford Semiconductor G09p02l

P20V, RD (MAX) <23M@-4,5V, RD (MAX) <3

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor G09p02l
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 3
Sku: G09P02L
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,0730

Эkst цena:$0,0730

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	9А (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	2,5 В, 4,5 В.
Rds on (max) @ id, vgs	23mohm @ 1a, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	1,2- 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	15 NC @ 4,5
Vgs (mmaks)	± 12 В.
Взёр.	620 pf @ 10 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	2,2 м (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23-3
PakeT / KORPUES	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	3000

P-KANAL 20- 9A (TC) 2,2-вт (TC) PoverхnoStnoe