Goford Semiconductor G080p06t

P-60V, -195A, RD (MAX) <7,5 м@-10V, VT

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor G080p06t
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 8669
Sku: G080p06t
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

Парметр
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	294W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	ДО-220
PakeT / KORPUES	220-3
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	50
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	195a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	7,5mohm @ 20a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	186 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	15195 PF @ 30 V
FET FUONKSHINA	-

P-KANAL 60 ЕСПЕРТИКА (TC) 294W (TC).