Goford Semiconductor G05N06S2

N60V, 5A, Rd <35M@10V, VTH1V ~ 2,5 v,

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor G05N06S2
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 12
Sku: G05N06S2
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,1600

Эkst цena:$0,1600

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В приземлении	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
Тела	-
Коунфигура	2 n-канал
FET FUONKSHINA	-
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	5А (TC)
Rds on (max) @ id, vgs	140mohm @ 5a, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	22NC @ 10V
Взёр.	979pf @ 30v
Синла - МАКС	2W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop
Baзowый nomer prodikta	G05n
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	4000

MOSFET ARRAY 60V 5A (TC) 2W (TC) POWRхNOSTNOE