| Параметры |
| Производитель | Гофорд Полупроводник |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 6А |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 25 мОм при 4,5 А, 4,5 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1,2 В @ 250 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 10 НК при 4,5 В |
| ВГС (Макс) | ±10 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 640 пФ при 10 В |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1,25 Вт |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | 8-СОП |
| Пакет/ключи | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 4000 |
Н-канальный 20 В, 6 А, 1,25 Вт, для поверхностного монтажа, 8-СОП