Goford Semiconductor 25p06

P60V, RD (MAX) <45M@-10V, VTH2V ~ 3V T.

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor 25p06
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 50
Sku: 25p06
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,2180

Эkst цena:$0,2180

Подрэбной

Парметр
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	2500
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	25a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	45mohm @ 12a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	3 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	37 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	3384 PF @ 30 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	100 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	252
PakeT / KORPUES	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH

P-Kanol 60 v 25A (TC) 100 st (TC)