Goford Semiconductor 2301

P20V, RD (MAX) <56M@-4,5V, RD (MAX) <8

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor 2301
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 120
Sku: 2301
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,0270

Эkst цena:$0,0270

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	3a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	2,5 В, 4,5 В.
Rds on (max) @ id, vgs	56mohm @ 1,7a, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	900 мВ @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	12 NC @ 2,5
Vgs (mmaks)	± 10 В.
Взёр.	405 PF @ 10 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1 yt (tta)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23
PakeT / KORPUES	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	3000

P-KANAL 20- 3A (TA) 1-й (TA) POWRхNOSTNOE