Goford Semiconductor 18n20j
N200v, 18a, rd <0,16 прри 10в, vth1v ~ 3v,
- Проиджоделх: Goford Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor 18n20j
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 2961
- Sku: 18n20j
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Goford Semiconductor |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 200 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 18а (TJ) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
| Rds on (max) @ id, vgs | 160mohm @ 9a, 10v |
| Vgs (th) (max) @ id | 3 В @ 250 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 17,7 NC @ 10 V |
| Vgs (mmaks) | ± 30 v |
| Взёр. | 836 PF @ 25 V |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 65,8 м (TC) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 251 |
| PakeT / KORPUES | 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА |
| Статус Ройс | ROHS COMPRINT |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0000 |
| Станодадж | 75 |
N-канал 200 В 18А (TJ) 65,8 st (Tc) erehreз oTwerStie 251
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740