Goford Semiconductor 18n10

N100V, RD (MAX) <53M@10V, RD (MAX) <63

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor 18n10
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 50
Sku: 18n10
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,1710

Эkst цena:$0,1710

Подрэбной

Парметр
ПАКЕТИВАЕТСЯ	252 (DPAK)
PakeT / KORPUES	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	2500
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	25 а
Rds on (max) @ id, vgs	53mohm @ 10a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	3 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	28 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1318 pf @ 50 v
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	62,5
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер

N-kanol 100- 25а 62,5.