Парметр | |
---|---|
Млн | Goford Semiconductor |
В приземлении | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 60 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 3A |
Rds on (max) @ id, vgs | 100mohm @ 2a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 1,2- 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 14,6 NC @ 30 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 510 pf @ 30 v |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 1,7 |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT-23-3L |
PakeT / KORPUES | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 3 (168 чASOW) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 3000 |