GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12D

ДИОД ШОТТКИ 1200В 2Х30А ТО-24

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12D
Пакет: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 170
Артикул: GD2X30MPS12D
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $17.3000

Дополнительная цена:$17.3000

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Серия	Карбид кремния Шоттки MPS™
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Конфигурация диода	1 пара с общим катодом
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	1200 В
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)	55А (постоянный ток)
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,8 В при 30 А
Скорость	Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)
Ток – обратная утечка @ Vr	20 мкА при 1200 В
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247-3
Базовый номер продукта	GD2X
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	1242-ГД2С30МПС12Д
Стандартный пакет	30

Диодная матрица, 1 пара, общий катод, 1200 В, 55 А (постоянный ток), сквозное отверстие ТО-247-3