| Параметры |
| Производитель | GeneSiC Полупроводник |
| Ряд | G3R™ |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | SiCFET (карбид кремния) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 71А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 15 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 48 мОм при 35 А, 15 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,69 В при 10 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 106 НК при 15 В |
| ВГС (Макс) | ±15 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2929 пФ при 800 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 333 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-247-3 |
| Пакет/ключи | ТО-247-3 |
| Базовый номер продукта | Г3Р40 |
| Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 1242-Г3Р40МТ12Д |
| Стандартный пакет | 30 |
Н-канал 1200 В 71 А (Тс) 333 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-3