Полупроводник GeneSiC G3R12MT12K
1200В 12М ТО-247-4 G3R SIC MOSFE
- Производитель: GeneSiC Полупроводник
- Номер производителя: Полупроводник GeneSiC G3R12MT12K
- Упаковка: Трубка
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 8004
- Артикул: Г3Р12МТ12К
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | GeneSiC Полупроводник |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | SiCFET (карбид кремния) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 157А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 15В, 18В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 13 мОм при 100 А, 18 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,7 В при 50 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 288 НК при 15 В |
| ВГС (Макс) | +22В, -10В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 9335 пФ при 800 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 567 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-247-4 |
| Пакет/ключи | ТО-247-4 |
| Базовый номер продукта | Г3Р12М |
| Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 1242-Г3Р12МТ12К |
| Стандартный пакет | 30 |
Н-канал 1200 В 157 А (Тс) 567 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-4
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Вишай Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740