| Параметры |
| Производитель | GeneSiC Полупроводник |
| Ряд | Г2Р™ |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | SiCFET (карбид кремния) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 3300 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 63А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 20 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 50 мОм при 40 А, 20 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3,5 В @ 10 мА (тип.) |
| Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | 340 НК при 20 В |
| ВГС (Макс) | +25В, -10В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 7301 пФ при 1000 В |
| Особенность левого транзистора | Стандартный |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 536 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-247-4 |
| Пакет/ключи | ТО-247-4 |
| Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 1242-Г2Р50МТ33К |
| Стандартный пакет | 30 |
Н-канал 3300 В 63 А (Тс) 536 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-4