Полупроводник GeneSiC G2R1000MT17J

НИЦ МОП-транзистор Н-Ч 3А ТО263-7

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: Полупроводник GeneSiC G2R1000MT17J
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 14
Артикул: G2R1000MT17J
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $6.4400

Дополнительная цена:$6.4400

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	Г2Р™
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1700 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	3А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	20 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	1,2 Ом при 2 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4 В при 2 мА
ВГС (Макс)	+20В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	139 пФ при 1000 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	54 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	ТО-263-7
Пакет/ключи	ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА
Базовый номер продукта	G2R1000
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	1242-G2R1000MT17J
Стандартный пакет	50

Н-канальный 1700 В 3А (Tc) 54 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-263-7