ONSEMI NXH80T120L2Q0SG
NXH80T120L2Q0SG
- Проиджоделх: OnSemi
- NoMerPOIзVODITELEL: ONSEMI NXH80T120L2Q0SG
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 8366
- Sku: NXH80T120L2Q0SG
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | - |
| Коунфигура | Титп |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 1200 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 65 а |
| Синла - МАКС | 146 Вт |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2.8V @ 15V, 80a |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 100 мк |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 1,99 NF @ 20 V |
| Wshod | Станода |
| NTC Thermistor | В дар |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 20-PIM/Q0Pack (55x32,5) |
| Baзowый nomer prodikta | NXH80 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодар | 24 |
Модулб igbt t-typ 1200- 65 a 146 sthereз otwerstie 20-pom/q0pack (55x32,5)
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F