Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SI1070X-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SI1070X-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: SI1070X-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5100

Дополнительная цена:$0,5100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1,2 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 99 мОм при 1,2 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,55 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8,3 нк при 5 В
ВГС (Макс) ±12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 385 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 236 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СК-89 (СОТ-563Ф)
Пакет/ключи СОТ-563, СОТ-666
Базовый номер продукта СИ1070
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
Н-канал 30 В 1,2 А (Та) 236 мВт (Та) для поверхностного монтажа SC-89 (SOT-563F)