Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies IPL65R1K5C6SATMA1 — полевые транзисторы Infineon Technologies, MOSFET — спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Infineon Technologies IPL65R1K5C6SATMA1

Инфинеон Технологии IPL65R1K5C6SATMA1

IPL65R1K5C6SATMA1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии IPL65R1K5C6SATMA1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8328
  • Артикул: IPL65R1K5C6SATMA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $0,5914

Дополнительная цена:$0,5914

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд CoolMOS™ C6
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Не для новых дизайнов
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,5 Ом при 1 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 100 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11 нк @ 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 225 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 26,6 Вт (Тс)
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТСОН-8-2
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Базовый номер продукта ИПЛ65Р1
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
Н-канал 650 В 3А (Тс) 26,6 Вт (Тс) для поверхностного монтажа ПГ-ТСОН-8-2

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.