Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 IXYS MMIX1F180N25T - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS MMIX1F180N25T

ММИКС1Ф180Н25Т

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS MMIX1F180N25T
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 20
  • Артикул: ММИКС1Ф180Н25Т
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $49.0600

Дополнительная цена:$49.0600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС
Ряд GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 250 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 132А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 13 мОм при 90 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 8 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 364 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 23800 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 570 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 24-СМПД
Пакет/ключи 24-PowerSMD, 21 вывод
Базовый номер продукта MMIX1F180
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена -MMIX1F180N25T
Стандартный пакет 20
Н-канальный 250 В 132 А (Tc) 570 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 24-СМПД