| Параметры |
| Производитель | ИКСИС |
| Ряд | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 250 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 132А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 13 мОм при 90 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 5 В @ 8 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 364 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 23800 пФ при 25 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 570 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | 24-СМПД |
| Пакет/ключи | 24-PowerSMD, 21 вывод |
| Базовый номер продукта | MMIX1F180 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | -MMIX1F180N25T |
| Стандартный пакет | 20 |
Н-канальный 250 В 132 А (Tc) 570 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 24-СМПД