Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 IXYS IXFN210N30P3 - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXFN210N30P3

IXFN210N30P3

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXFN210N30P3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: IXFN210N30P3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $48.2700

Дополнительная цена:$48.2700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС
Ряд HiPerFET™, Polar3™
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 300 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 192А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 14,5 мОм при 105 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 8 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 268 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 16200 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1500 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Поставщик пакета оборудования СОТ-227Б
Пакет/ключи СОТ-227-4, миниБЛОК
Базовый номер продукта IXFN210
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена -IXFN210N30P3
Стандартный пакет 10
N-канал 300 В 192 А (Tc) 1500 Вт (Tc) Монтаж на шасси SOT-227B