Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 IXYS IXFA8N50P3 - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXFA8N50P3

IXFA8N50P3

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXFA8N50P3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8492
  • Артикул: IXFA8N50P3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС
Ряд HiPerFET™, Polar3™
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 500 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 800 мОм при 4 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 1,5 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 13 нк @ 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 705 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 180 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-263АА (IXFA)
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Базовый номер продукта IXFA8N50
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
Н-канальный, 500 В, 8 А (Tc) 180 Вт (Tc), для поверхностного монтажа TO-263AA (IXFA)