Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 IXYS IXTH12N150 - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXTH12N150

IXTH12N150

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXTH12N150
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 27
  • Артикул: IXTH12N150
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $17.1700

Дополнительная цена:$17.1700

Подробности

Теги

Параметры
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3720 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 890 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247 (IX)
Пакет/ключи ТО-247-3
Базовый номер продукта IXTH12
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 30
Производитель ИКСИС
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1500 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2 Ом при 6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 106 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Н-канальный 1500 В 12 А (Tc) 890 Вт (Tc) Сквозное отверстие ТО-247 (IXTH)