Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 IXYS MMIX1T600N04T2 - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS MMIX1T600N04T2

ММИКС1Т600Н04Т2

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS MMIX1T600N04T2
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 20
  • Артикул: ММИКС1Т600Н04Т2
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $39.4400

Дополнительная цена:$39.4400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС
Ряд FRFET®, СупреМОС®
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 600А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,3 мОм при 100 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 590 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 40000 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 830 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 24-СМПД
Пакет/ключи 24-PowerSMD, 21 вывод
Базовый номер продукта MMIX1T600
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 20
Н-канальный 40 В 600 А (Tc) 830 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 24-СМПД