Fairchild Semiconductor HGTG18N120BN

БТИЗ, 54А, 1200В, Н-КАНАЛЬНЫЙ, ТО-

Производитель: Фэйрчайлд Полупроводник
Номер производителя: Fairchild Semiconductor HGTG18N120BN
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2961
Артикул: ХГТГ18Н120БН
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Фэйрчайлд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	ДНЯО
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	54 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	165 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,7 В @ 15 В, 18 А
Мощность - Макс.	390 Вт
Переключение энергии	800 мкДж (вкл.), 1,8 мДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	165 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	23 нс/170 нс
Условия испытаний	960В, 18А, 3Ом, 15В
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247-3
Базовый номер продукта	HGTG18
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	Затронуто REACH
ECCN	EAR99
ХТСУС	0000.00.0000
Стандартный пакет	1

IGBT NPT 1200 В 54 А 390 Вт сквозное отверстие ТО-247-3