Fairchild Semiconductor HGT1S2N120CN

ХГТ1С2Н120ЦН

Производитель: Фэйрчайлд Полупроводник
Номер производителя: Fairchild Semiconductor HGT1S2N120CN
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 87
Артикул: ХГТ1С2Н120ЦН
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,8700

Дополнительная цена:$1,8700

Подробности

Параметры
Производитель	Фэйрчайлд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Устаревший
Тип БТИЗ	ДНЯО
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	13 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	20 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,4 В @ 15 В, 2,6 А
Мощность - Макс.	104 Вт
Переключение энергии	96 мкДж (вкл.), 355 мкДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	30 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	25 нс/205 нс
Условия испытаний	960 В, 2,6 А, 51 Ом, 15 В
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA
Поставщик пакета оборудования	ТО-262
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	50

IGBT NPT 1200 В 13 А 104 Вт сквозное отверстие ТО-262