Fairchild Semiconductor HGT1S20N36G3VLS
Igbt, 37,7a, 355V, n-KANAL
- Проиджоделх: Fairchild Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: Fairchild Semiconductor HGT1S20N36G3VLS
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 48
- Sku: HGT1S20N36G3VLS
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Fairchild Semiconductor |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | - |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 415 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 37,7 а |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 1,9 - @ 5V, 20a |
| Синла - МАКС | 150 Вт |
| Переклхейн | - |
| ТИПВ | Лейка |
| ЗArAd -vvoROT | 28,7 NC |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | -/15 мкс |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | 300 В, 10A, 25OM, 5 В |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | DO-263AB |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодадж | 800 |
IGBT 415 V 37,7 A 150
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F