Fairchild Semiconductor HGT1S10N120BNS

БТИЗ, 35А, 1200В, Н-КАНАЛЬНЫЙ, ТО-

Производитель: Фэйрчайлд Полупроводник
Номер производителя: Fairchild Semiconductor HGT1S10N120BNS
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 4965
Артикул: ХГТ1С10Н120БНС
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Фэйрчайлд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	ДНЯО
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	35 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	80 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,7 В @ 15 В, 10 А
Мощность - Макс.	298 Вт
Переключение энергии	320 мкДж (вкл.), 800 мкДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	100 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	23 нс/165 нс
Условия испытаний	960В, 10А, 10Ом, 15В
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Поставщик пакета оборудования	ТО-263АБ
Базовый номер продукта	ХГТ1С10
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	Затронуто REACH
ECCN	EAR99
ХТСУС	0000.00.0000
Стандартный пакет	1

IGBT NPT 1200 В 35 А 298 Вт для поверхностного монтажа TO-263AB