Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies IPB015N08N5ATMA1 — Infineon Technologies FET, MOSFET — спецификация, чип-дистрибьютор, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии IPB015N08N5ATMA1

ИПБ015Н08Н5АТМА1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии IPB015N08N5ATMA1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4080
  • Артикул: ИПБ015Н08Н5АТМА1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $7.2200

Дополнительная цена:$7.2200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд Оптимос™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 180А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,5 мОм при 100 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,8 В @ 279 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 222 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 16900 пФ при 40 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 375 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТО263-7
Пакет/ключи ТО-263-7, Д²Пак (6 отведений + вкладка)
Базовый номер продукта ИПБ015
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1000
N-канальный 80 В 180 А (Tc) 375 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PG-TO263-7