| Параметры |
| Производитель | Этрон Технология, Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | DRAM-RPC |
| Размер | 256Мбит |
| Организация | 16М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 800 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Время доступа | 6 нс |
| Напряжение питания | 1425 В ~ 1575 В |
| Рабочая температура | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 50-УФБГА, ВЛЦСП |
| Поставщик пакета оборудования | 50-ВЛЦСП (1,96х4,63) |
| Базовый номер продукта | EM6GA16 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0032 |
| Другие имена | 2174-EM6GA16LCAEA-12H |
| Стандартный пакет | 66 |
Микросхема памяти DRAM-RPC, 256 Мбит, параллельная, 800 МГц, 6 нс, 50-WLCSP (1,96x4,63)