Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 EPC EPC2252 — EPC FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

ЕПК ЕПК2252

ТРАНСГАН 80В.011Ом AECQ101 9BGA

  • Производитель: EPC
  • Номер производителя: ЕПК ЕПК2252
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 24
  • Артикул: ЕПК2252
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,8600

Дополнительная цена:$1,8600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель EPC
Ряд ЭГАН®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8,2А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 11 мОм при 11 А, 5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 2,5 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4,3 нк при 5 В
ВГС (Макс) +6В, -4В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 576 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) -
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Править
Пакет/ключи Править
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0040
Стандартный пакет 2500
Н-канальный, 80 В, 8,2 А (Та), кристалл для поверхностного монтажа