Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L(T6L1,NQ)

ТДЖ30С06М3Л(Т6Л1,НК

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L(T6L1,NQ)
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 8460
Артикул: ТДЖ30С06М3Л(Т6Л1,НК
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,7102

Дополнительная цена:$0,7102

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	У-МОСВИ
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	P-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	30А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	21,8 мОм при 15 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	80 НК при 10 В
ВГС (Макс)	+10 В, -20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	3950 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	68 Вт (Тс)
Рабочая температура	175°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	ДПАК+
Пакет/ключи	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Базовый номер продукта	TJ30S06
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	2000 г.

P-канал 60 В 30 А (Ta) 68 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа DPAK+

Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L(T6L1,NQ)

Подробности

Теги

Больше продуктов

О нас

УСЛУГИ

ПРОДУКЦИЯ