product_banner

Micron Technology Inc. MT53D1G32D4NQ-046 WT ES:E

Micron Technology Inc. MT53D1G32D4NQ-046 WT ES: E

MT53D1G32D4NQ-046 WT ES: E.

Проиджоделх: Micron Technology Inc.
NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT53D1G32D4NQ-046 WT ES: E
Епаково: Коробка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
ЗapaS: 8993
Sku: MT53D1G32D4NQ-046 WT ES: E.
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

ТЕГИ

Парметр
ИНЕРФЕРСП	-
ТАКТОВА	2,133 Гер
Верный	-
Napraheneee - posta	1,1 В.
Rraboч -yemperatura	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)
Baзowый nomer prodikta	MT53D1G32
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Управо
Htsus	0000.00.0000
Станодадж	1360
Млн	Micron Technology Inc.
В припании	-
Упако	Коробка
Степень Продукта	Управо
ТИП ПАМАТИ	Nestabilnый
Формат пэмаи	Ддрам
Тела	SDRAM - Mobile LPDDR4
Raзmerpmayti	32 Гит
Органихая	1G x 32

SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32GBIT 2133Gц

Болх