| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 1Мбит |
| Организация | 128 КБ х 8 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 45нс |
| Время доступа | 45 нс |
| Напряжение питания | 4,5 В ~ 5,5 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 125°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 32-SOIC (ширина 0,445 дюйма, 11,30 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 32-СОП |
| Базовый номер продукта | IS65C1024 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 84 |
SRAM — ИС асинхронной памяти, 1 Мбит, параллельной, 45 нс, 32-SOP