Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies IPB80P04P4L08ATMA1 — Infineon Technologies FET, MOSFET — спецификация, чип-дистрибьютор, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Infineon Technologies IPB80P04P4L08ATMA1

Инфинеон Технологии IPB80P04P4L08ATMA1

ИПБ80П04П4Л08АТМА1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии IPB80P04P4L08ATMA1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8936
  • Артикул: ИПБ80П04П4Л08АТМА1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Добавить в список запросов предложений

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 80А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 7,9 мОм при 80 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,2 В @ 120 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 92 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±16 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5430 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 75 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТО263-3-2
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Базовый номер продукта ИПБ80П
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1000
П-канал 40 В 80 А (Tc) 75 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PG-TO263-3-2

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.