Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies IPD80R2K8CEATMA1 — полевые транзисторы Infineon Technologies, полевые МОП-транзисторы — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии IPD80R2K8CEATMA1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9702
  • Артикул: IPD80R2K8CEATMA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1.2000

Дополнительная цена:$1.2000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд CoolMOS™ CE
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 800 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1,9 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,8 Ом @ 1,1 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,9 В @ 120 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 НК @ 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 290 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 42 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТО252-3
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Базовый номер продукта ИПД80Р2
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
N-канал 800 В 1,9 А (Tc) 42 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PG-TO252-3