Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SIHF15N65E-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Силиконикс SIHF15N65E-GE3

SIHF15N65E-GE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SIHF15N65E-GE3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8398
  • Артикул: SIHF15N65E-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,9257

Дополнительная цена:$1,9257

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 15А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 280 мОм при 8 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 96 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1640 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 34 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220 Полный пакет
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет
Базовый номер продукта SIHF15
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
N-канальный 650 В 15 А (Tc) 34 Вт (Tc) сквозное отверстие ТО-220, полный комплект