Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K781G,LF - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K781G,LF

ССМ6К781Г,ЛФ

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K781G,LF
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 850
  • Артикул: ССМ6К781Г,ЛФ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5100

Дополнительная цена:$0,5100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСVII-H
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 18 мОм при 1,5 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5,4 нк при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 600 пФ при 6 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,6 Вт (Та)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 6-МЦПК (1,5х1,0)
Пакет/ключи 6-УФБГА, ВЛЦП
Базовый номер продукта ССМ6К781
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Н-канальный 12 В 7А (Та) 1,6 Вт (Та) для поверхностного монтажа 6-WCSPC (1,5x1,0)