Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 250 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 14a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
Rds on (max) @ id, vgs | 280mohm @ 7a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 4,5 -50 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 15 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 30 v |
Взёр. | 770 pf @ 25 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 150 Вт (TC) |
Rraboч -yemperatura | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 252 (DPAK) |
PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
Baзowый nomer prodikta | AOD45 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 2500 |
N-kanal 250-14а (Tc) 150 st (tc).