Vishay Siliconix SI4776DY-T1-GE3
SI4776DY-T1-GE3
- Производитель: Вишай Силиконикс
- Номер производителя: Vishay Siliconix SI4776DY-T1-GE3
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 2011 г.
- Артикул: SI4776DY-T1-GE3
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Вишай Силиконикс |
| Ряд | SkyFET®, TrenchFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 11,9 А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 4,5 В, 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 16 мОм при 10 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,3 В при 1 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 17,5 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 521 пФ при 15 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 4,1 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | 8-СОИК |
| Пакет/ключи | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) |
| Базовый номер продукта | СИ4776 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 2500 |
N-канал 30 В 11,9 А (Tc) 4,1 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-SOIC
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Силиконикс IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Вишай Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740