Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SIZ914DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIZ914DT-T1-GE3

СИЗ914ДТ-Т1-GE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIZ914DT-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8147
  • Артикул: СИЗ914ДТ-Т1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 Н-канала (полумост)
Особенность левого транзистора Ворота логического уровня
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 16А, 40А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6,4 мОм при 19 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 26 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1208пФ при 15В
Мощность - Макс. 22,7 Вт, 100 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerWDFN
Поставщик пакета оборудования 8-PowerPair®
Базовый номер продукта СИЗ914
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 30 В, 16 А, 40 А, 22,7 Вт, 100 Вт, для поверхностного монтажа 8-PowerPair®